窒化アルミニウム（ALN）は、優れた包括的な特性を備えた新しいタイプのセラミック材料です。優れた熱伝導率、信頼性の高い電気断熱性、誘電率が低い誘電率と誘電損失、非毒性、およびシリコンと互換性のある熱膨張係数があります。一連の優れた特性は、高濃度の半導体基板と電子機器ガラスセラミックバーのパッケージに理想的な材料であると考えられています。
窒化アルミニウムの熱伝導率は、酸化ベリリウムの熱伝導率に近い、伝統的な基質材料アルミニウム酸化物の5〜10倍です。 Al2O3基質の熱伝導率は低く、熱膨張係数はSiとあまり互換性がありません。 BEOは優れた包括的なパフォーマンスを持っていますが、生産コストが高く、非常に有毒な欠点が適用と昇進を制限しています。他のいくつかのセラミック材料と比較して、窒化アルミニウムセラミックは優れた包括的な特性を持ち、半導体基質と構造包装に非常に適しています。エレクトロニクス業界の材料の可能性は巨大です。
ハード精度セラミック、Advanced Ceramics Divisionは、セラミック材料の大手サプライヤーです。窒化アルミニウムセラミック製品に優れた仕様と競争力のある価格を提供しています。
窒化アルミニウムは、優れた機械加工可能なセラミックフランジ全体の性能を備えたセラミック材料であり、その熱伝導率はアルミナセラミックの7倍です。同時に、アルミナと比較して誘電率が低い優れた電気特性、シリコンと同様の熱膨張速度、高い比強度、低密度、非毒性、その他の特性があります。マイクロエレクトロニクス技術の開発により、電子コンポーネントは小型化、軽さ、統合、高い信頼性、高出力などに集中しています。より複雑なデバイスには、基板とカプセル化材料の熱散逸のための要件が高くなります。この状況は、AINセラミック基板の繁栄の発達をさらに促進します。次の記事では、粉末から形成へのAIN基質のプロセスを紹介します。
窒化アルミニウム粉末の調製中、その純度、粒子サイズ、酸素含有量、およびその他の不純物含有量は、製品のその後の熱伝導率、およびその後の焼結および形成プロセスへの影響要因となり、パフォーマンスの重要な要因でもあります。最終製品の。 AIN粉末は、直接ニトリング法、炭素熱還元方法、自己伝播高温合成方法、化学蒸気堆積方法などによって合成されます。プロのメーカーとして、私たちの原材料準備プロセスは通常、炭素熱還元形成法を選択します。 Alumina粉末と炭素粉末の混合物は、高温（1400〜1800℃）で流れる窒素で窒素に還元され、Ain粉末を形成します。
1.高温の焼結：つまり、特定の圧力の下でセラミックを焼くと同時に、焼結と加圧成を加熱して、細かい穀物、高い相対密度、およびセラミックの良好な機械的特性を得ることができます。
2.圧力のない焼結：大気圧力焼結の一般的な温度範囲は1600-2000℃です。焼結温度を適切に上げ、保持時間を延長すると、AINセラミックの密度が向上しますが、強度は比較的低くなります。
3.マイクロ波焼結：マイクロ波焼結は迅速な焼結方法でもあり、マイクロ波相互作用を使用して誘電損失を生成して全体的な熱を生成します。
4.排出プラズマ焼結：整合性ガラスセラミックバープラズマの活性化、ホットプレス、抵抗加熱、およびその他の技術の統合では、速い焼結速度と均一な穀物サイズの特性を備えていますが、機器のコストは高く、加工のサイズが高くなります。ワークピースは限られています。
5.自己伝播焼結： #ANセラミック材料は、超高圧力窒素下での自己伝播高温合成反応によって直接調製されます。しかし、原料の窒化アルミニウムは高温燃焼反応の下で溶ける傾向があり、ビレットへの窒素の浸透を妨げるため、高密度ALNセラミック基質を取得することは困難です。
#AlncerAmicsubstrateの密な焼結を実現し、不純物と粒界位相含有量を減らし、プロセスを簡素化し、コストを削減するために、ALNセラミック焼結プロセスには3つのコア要素が必要です。1。適切な焼結プロセスの選択。 2.大気制御。 3.適切な焼結エイズの追加。
